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时间:2021-10-11 04:00 来源: Essay代写

摘要:本文主要的是关于21.3英寸的UXGA的LCD显示屏非激光结晶生产法分析一些观点介绍,介绍了使用非激光结晶法生产制造出......

We have successfully demonstrated a 21.3-inch UXGA (1600× RGB × 1200) LTPS AMLCD 

我们已经成功地制造出21.3英寸的UXGA(1600×RGB×1200)LTPS 的LCD显示屏

 

 

Abstract摘要

We have successfully demonstrated a 21.3-inch UXGA (1600× RGB × 1200) LTPS AMLCD manufactured by non-lasercrystallization method. 我们已经成功地使用非激光结晶法生产制造出21.3英寸UXGA(1600×RGB×1200)LTPS的 LCD显示屏。The gate and data drivers were made ofCMOS TFTs. Gate-driver circuits composed of shift registers andbuffer circuits were integrated on both sides of panel for dualdriving method and the multiplexing circuit was implemented onits data circuits. The non-laser technique such as nanocap-assisted crystallization is promising for low-cost LTPS on glass,compared to conventional laser annealing process.

 

1. Introduction介绍

Many efforts have been focused on developing high qualitypolycrystalline silicon (poly-Si) films on large area glasssubstrates in order to obtain high-performance poly-Si thin filmtransistors (TFTs) for active-matrix liquid crystal displays(AMLCD) and active-matrix organic light-emitting diodes(AMOLED).我们付出了许多努力,也一直专注于研究发展高品质的多晶硅(多晶Si)薄膜,为了获得大面积的高性能的聚-Si薄膜的玻璃基板,我们一直在针对有源矩阵液晶薄膜晶体管(TFT)显示器(AMLCD)方面来进行研究。

(AMOLED)。 As a result, system on glass (SOG) with memories,sensors and controllers as well as driver circuits has been alreadydeveloped with high-performance poly-Si TFTs [1].

 

It is widely recognized that the high-quality poly-Si films canbe obtained via various crystallization methods from the as-deposited amorphous silicon (a-Si) films [2,3]. 人们普遍认识到,高品质的多晶硅薄膜能够通过各种结晶方法的沉积非晶硅(的a-Si)薄膜[2,3]来获得。Among them, theexcimer laser annealing (ELA) process has been extensivelyinvestigated and is adapted in mass production lines for AMLCDand AMOLED because it produces high-quality poly-Si films onthe glass substrates at low-temperature. However, there are stillunsolved issues in ELA process, such as high manufacturing cost,uniformity over a large area, high surface roughness, anddegradation in TFT performance under bias stress. Unlike theELA process, it is recognized that Ni silicide-mediatedcrystallization (SMC) can provide device-quality poly-Si filmsthat can be used for high quality poly-Si TFTs with enhanced TFTuniformity and reduced surface morphology at low temperaturedue to the reduced metal contents in the crystallized poly-Si films.[4].

In this paper, we propose nanocap-assisted crystallization(NAC) technique.在本文中,我们提出辅助研究的结晶(TAC)的技术。 This process includes (1) forming of SiO2nanocap layer on a-Si:H films, (2) sputtering of ultra-low density of Niparticles on SiO2nano cap/a-Si:H, and (3) inducing Ni-inducedcrystallization of a-Si through thermal annealing process. Wesuccessfully demonstrated a 21.3-inch UXGA (1600 × RGB ×1200) LTPS TFT-LCD based on NAC processFig. 1. A schematic illustration of NAC of a-Si using aSiO2nanocap layer: (a) deposition of a-Si/SiO2on glass;(b) formation a SiO2nanocap layer by O2plasmatreatment; (c) Ni deposition by RF sputtering; (d)crystallization by FE-RTP.

2. Nanocap-Assisted Crystallization (NAC)Nanocap辅助结晶(NAC)技术

Figure 1 shows a schematic of the SMC of a-Si using a SiO2nanocap layer. 图1主要的描述了示意性的SMC上的一个站点所使用纳米SiO2帽层的特点。SiO2buffer (300nm) and a-Si:H layers (50nm)were deposited successively on 370 × 470 mm2glass substratewith 0.5 mm thickness. Then, SiO2nanocap layer was formed byO2plasma treatment on a-Si by using the capacitively coupledPECVD process (13.56MHZ) at a pressure of 800 mTorr. Thethickness of SiO2nanocap layer was ~2.9 nm. Ni particles on SiO2nanocap layer were deposited by RF sputtering in a N2environment and their densities were from 1013cm-2to 1014cm-2.Finally, this sample was annealed for crystallization in a field-enhanced rapid thermal process (FE-RTP) system. It is reportedthat Ni diffusing through the SiO2nanocap layer down to the a-Silayer can form NiSi2crystallites which enhance the crystallizationvelocity of a-Si films [5].

Figure 2 shows the grain shape of the NAC poly-Si filmsobtained by the optical microscope. 图2显示了通过NAC技术下,聚科学的光学显微镜下得到的薄膜的晶粒形状。The samples were heated in aFE-RTP system. The average grain size was ~100  . The detailsof crystallization process of a-Si are summarized in as nucleationand disk-like grain growth [6].

Fig. 3. AFM image of a NAC poly-Si (a) and ELA poly-Si 一个NAC多晶-Si(a)和ELA多晶Si的原子力显微镜图像

本文标签: UXGALCD显示屏非激光结晶

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